光刻機的光刻方式有哪些？

光刻機的光刻方式有哪些？

一、接觸\接近式光刻

調整掩模版和襯底相對位置和角度實現對準曝光的曝光方式。利用分立顯微鏡系統觀察調整掩模版和晶片上對準標記的相對位置；利用真空和空壓系統調節掩模版和晶片之間的氣壓實現不同接觸方式，利用精密電極控制掩模版和襯底之間的間隙實現接近式曝光。它是最古老的光刻技術，其理論分辨率可達到0.5um，但由于掩模版和襯底接觸，沾污嚴重，因此工業生產中一般只在3um以上的情況下采用此方式。目前在研發領域仍然有大規模的應用，在工業領域則集中在LED、MEMS和先進封裝等不需要高分辨率的領域。

二、投影式光刻

通過光學投影成像系統，將中間掩模版圖形按照所需要的倍率縮小，通過縮小透鏡在涂有光刻膠的襯底表面曝光成像，通過自動掩模版對準系統、工作臺伺服控制系統和雙頻激光干涉儀精密定位系統配合，實現光刻工藝層間套刻和在整個襯底范圍內分布重復圖形陣列的曝光。投影縮小透鏡的倍率方便有五倍、四倍和十倍。按照曝光光源的波長可分為g線（436nm）、i線（365nm）、準分子激光（248nm或193nm）。該類曝光技術是目前IC生產領域的主流設備，在增加了許多輔助技術后，其分辨率極限為7nm。

三、激光直寫光刻

利用聚焦激光束直接在涂覆有光刻膠的襯底上描繪圖形的光刻技術。通常采用旋轉反射鏡陣列來實現大量激光束同時掃描的功能，因此對于分辨率要求不高的情況，可以實現高速的無掩模光刻，是掩模版的主要制造手段之一。其分辨率極限根據激光成像原理不同，由500nm到100nm以下。由于激光良好的調焦功能，激光直寫也是zui常用的灰度光刻的技術手段。

四、電子束光刻

利用計算機輸入的地址和圖形數據，控制聚焦電子束在涂敷有電子束光刻膠的襯底上直寫曝光。其采用的是逐點掃描的方式，讓被掃描區域內的光刻膠進行曝光，以實現光刻的目的。目前世界上zui細線條的光刻圖案就是該技術完成的，可達到2nm。

五、極紫外光刻

極紫外光刻常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm的軟x射線。由于任何光學透鏡都對它產生嚴重的吸收，所以光學鏡片和掩模版只能采用反射投影式的結構。是目前先進的IC批量生產光刻技術，其分辨率可達到7nm以下。