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    濕法刻蝕處理系統

    更新時間:2022-05-24

    訪問量:412

    廠商性質:代理商

    生產地址:德國

    簡要描述:
    濕法刻蝕處理系統又稱自動顯影系統、自動刻蝕系統、自動去離子水清洗系統、顯影刻蝕系統、勻膠顯影機、自動刻蝕機、顯影刻蝕機、顯影臺、濕法刻蝕臺、顯影刻蝕臺等。POLOS Advanced系列濕法處理系統可實現涂膠、刻蝕、顯影、清洗等多種工藝,適用于半導體、化工材料、硅片、導電玻璃等制版的表面顯影。
    品牌其他品牌產地類別進口
    應用領域化工,生物產業,能源,電子,航天

    一、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統產品介紹

    我們的POLOS Advanced系列濕法處理系統涵蓋了廣泛的工藝應用。與我們的超聲MegPie和特殊的Lift-Off液結合使用,可進一步用于光阻剝離和金屬剝離。此外,也可與去離子水(DiO3)中的臭氧一起使用,為Piranha ( H2SO4  H2O2)清洗提供有效的替代。

    武漢月憶_勻膠顯影工藝.png

    Coating - Etching- Developing - Cleaning

    1、Coating


    (1)POLOS Advanced系列濕法處理系統適用于所有典型的旋涂工藝,該系統在特殊應用可選用高耐化學性 PTFE (TFM™)作為旋涂腔體。旋涂是制造納米聚合物薄膜(PDMS、嵌段聚合體等)技術之一??删幊绦D速度內的加速度是很重的,因為它控制了從一個給定的溶液中可以獲得的厚度。旋涂可以相對容易地從1000轉以上的轉速產生均勻的薄膜。

    (2)POLOS Advanced系列濕法處理系統的優勢在于其所采用的馬達為高性能無刷電機,12,000轉/分鐘的旋轉速度和高達30,000轉/秒*的旋轉加速度,使其能夠快速生產從幾納米到幾微米厚的均勻薄膜。

    (3)POLOS Advanced系列濕法處理系統控制電機模式的旋轉(順時針/逆時針),結合可選的多達6個自動分配器,能夠實現多層薄膜的均勻沉積和光阻顯影。這些特點支持用全自動和高度可重復的程序配方來快速優化工藝。



    2、Etching

    晶圓減?。ū趁嫜心ィ┑男课g刻作為晶圓減薄的后處理方法被用于集成電路和MEMS的制造,以便于:

    (1)實現理想的器件厚度(IC、MEMS);

    (2)確?;谄骷δ艿奶囟ê穸龋∕EMS);

    (3)減少垂直器件(功率器件)的基材串聯電阻;


    德國Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced濕法處理系統上用HNO3 / HF / CH3COOH進行旋涂蝕刻的研究證明,濕法蝕刻,作為旋涂蝕刻的執行,可以去除10微米的硅。此外,它幾乎完全消除了研磨引起的基材損傷的所有痕跡。該平臺提供了一個相對簡單且價格合理的工藝設置。該工藝比CMP快得多,它提供了一個較高的蝕刻率,并且能夠直接處理背面研磨的晶圓,而不需要額外的清洗。


    該平臺的標準特點:image.png

    ①適用于100毫米、150毫米和200毫米晶圓的工藝;

    ②適用于多種化學品;

    ③KOH

    HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)

    ⑤晶圓片連續旋轉;

    ⑥Puddle模式

    ⑦分注位置可固定

    ⑧在特定距離(晶圓直徑)上的振蕩運轉模式

    ⑨噴霧式點膠  

    ⑩沖洗式點膠

    資料來源:Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013 Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士,精確批量硅濕法蝕刻 2013年。


    3、Post-CMP Cleaning

    在CMP之后,表面可能會被漿料的殘留物高度污染。在用含有50nm膠體二氧化硅顆粒的漿料拋光的3''硅片上進行的測試表明,使用POLOS Advanced與ZTop MegPie兆聲波換能器在1MHz左右工作,結合稀釋的NH4OH,可以產生很好的清潔效果。

    高度稀釋(2%)的NH4OH用于增強顆粒和表面之間的靜電排斥力(控制Zeta電位),以避免重新沉積和重新附著。

    image.png


    我們的測試案例將POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 濕法處理系統內。這個MegPie套件允許你在150毫米和200毫米的有效尺寸之間進行選擇,并可選擇藍寶石或不銹鋼ZTop MegPie。

    POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的軟件中,允許伺服控制MegPie的定位和控制前進功率。它還監測反射功率,并控制溫度警報。與基體的距離由一個超聲波傳感器監測。

    <strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong>濕法刻蝕處理系統</strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong>.png


    二、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統技術參數


    勻膠顯影機

    型號

    POLOS 200 Advanced

    POLOS 300 Advanced

    POLOS 450 Advanced

    基片范圍

    φ260mm圓片

    6?x6?方片

    φ360mm圓片

    8?x8?方片

    φ460mm圓片

    350mmx350mm方片

    程序段數

    無限制*

    無限制*

    無限制*

    操作步數

    無限制*

    無限制*

    無限制*

    旋轉速度

    0-12,000 rpm

    0-12,000 rpm

    0-1500rpm

    旋轉精度

    ±0.1 rpm

    ±0.1 rpm

    ±0.1 rpm

    旋轉方向

    順時針、逆時針、puddle

    順時針、逆時針、puddle

    順時針、逆時針、puddle

    旋轉加速度

    ≤30,000 rpm/sec

    ≤30,000 rpm/sec

    ≤1500rpm時取決于負載

    腔體材質

    NPPPTFE

    NPPPTFE

    NPPPTFE

    腔體直徑

    302 mm

    402 mm

    502 mm

    外形尺寸

    380 x 307 x 559mm

    430 x 310 x 650mm

    795 x 638 x 922mm

    觸屏控制

    全彩觸屏控制

    全彩觸屏控制

    全彩觸屏控制

    設備重量

    20Kg

    32Kg

    75Kg

    電源參數

    220V,50/60 Hz

    220V,50/60 Hz

    220V,50/60 Hz


    三、可選配項

    <strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong>濕法刻蝕處理系統</strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong>.png











     

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