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    Model 800E紫外掩膜光刻機

    更新時間:2022-04-25

    訪問量:43

    廠商性質:代理商

    生產地址:美國

    簡要描述:
    Model 800E紫外掩膜光刻機:
    (1)多種光譜范圍可供選擇:汞燈:G(436nm)、H(405nm)、I(365nm)和310nm線,Hg-Xe燈:260nm和220nm。
    (2)適用基片尺寸范圍:4英寸~ 12英寸直徑晶圓片;
    (3)紫外燈功率范圍:200~2000W;
    品牌其他品牌產地類別進口
    應用領域生物產業,能源,電子,航天,電氣曝光精度0.6μm
    適用基片厚度6000μm適用基片尺寸4至12英寸直徑晶圓

    一、美國OAI公司介紹:

    OAI是一家位于美國硅谷的先進精密設備制造商,有著40多年的研發、制造經驗。該公司生產的產品用于 MEMS、半導體、納米技術、微流體、MicroTAS、平板和光伏/太陽能行業。 并提供廣泛的經過現場驗證的產品組合,包括:掩模對準器、UV 曝光系統、UV 光源、納米壓印模塊、晶圓鍵合機、UV 臭氧表面處理系統、邊緣珠曝光系統、晶圓分選機、太陽能模擬器 & IV 測試系統和眾多定制設計的解決方案。 這些產品有著良好的性能、高度的多功能性和出色的可靠性,在全球的市場中贏得了客戶的青睞。


    二、Model 800E紫外掩膜光刻機產品特點:

    (1)多種光譜范圍可供選擇:汞燈:G(436nm)、H(405nm)、I(365nm)和310nm線,Hg-Xe燈:260nm和220nm。

    (2)適用基片尺寸范圍:4英寸~ 12英寸直徑晶圓片;

    (3)紫外燈功率范圍:200~2000W;

    (4)使用上下雙CCD Gigi相機和電動X-Y-Z-Theta平臺進行手動對準,帶操縱桿/配方操作。

    (5)通過 Cognex 軟件升級升級到 Auto Alignment。

    (6)自動楔補償和帶編碼器的電動z軸和3點調平升級選項;

    (7)紅外光學背面對齊選擇升級;

    (8)使用1TB電腦進行PC操作和配方存儲;

    (9)接近(20um):<3.0um,軟接觸:<2.0um,硬接觸:1um,真空接觸:≤0.6um。

    (10)提供0.5-1um的正反面曝光和對位精度。

    (11)可用于半自動化/研發和小批量生產模式。

    (12)適用于生物、MEMS、半導體、微流體、納米壓印和CLiPP工藝。



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    三、OAI的Model 800E紫外掩膜光刻機與 Suss 的 Model MA6光刻機參數對比:

    OAI 800E與SUSS MA6優勢對比.png









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