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    納米壓印光刻膠

    更新時間:2022-05-09

    訪問量:45

    廠商性質:代理商

    生產地址:德國

    簡要描述:
    德國Micro Resist公司創立于1993年.公司生產的高性能各種用于微納制作的光刻膠,除了生產用于i、g和h線的光刻膠以外,還有電子束及深紫外光刻膠和納米壓印光刻膠以及專門用于光學波導制作的光膠可供選擇。
    品牌其他品牌供貨周期一周
    應用領域化工,能源,電子,電氣,綜合
    品牌產地型號
    特點
    Micro Resist德國

    mr-I 7000E系

    納米壓印光刻膠


    Tg = 60℃
    優異的成膜質量
    由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間
    壓印溫度125 - 150℃,壓印壓力20 - 50 bar
    Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA
    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
    mr-I 8000E系列

    Tg = 115℃
    優異的成膜質量
    由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間
    壓印溫度170 - 190℃,壓印壓力20 - 50 bar
    Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA
    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

    mr-I PMMA

    35k/75系列


    Tg = 105℃
    優異的成膜質量
    低分子量從而實現高效的流動性
    壓印溫度150 - 180℃,壓印壓力50 bar
    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
    mr-I T85系列

    Tg = 85℃
    優異的成膜質量
    壓印溫度140 - 170℃,壓印壓力大于5 bar
    Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠
    非極化熱塑性、具有優異的紫外和光學透過率,高化學穩定性
    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
    mr-I 9000E系列

    熱固化之前Tg = 35℃
    優異的成膜質量

    接近等溫加工處理

    n 壓印溫度120℃

    n 脫模溫度100℃

    壓印時溫度從Tg到Tg,Cured增加并固化

    非常低的殘余膠層厚度低至5 nm

    Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠

    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)


    mr-NIL 6000系列

    光化學固化之前Tg = 40℃
    優質的固體光膠薄膜
    接近等溫加工處理:壓印、紫外曝光固化,壓印與脫模在同一溫度下進行
    非常低的殘余膠層厚度低至10 nm
    圖案轉移時高保真度
    Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠

    可獲得優于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

    寬帶或i線曝光


    mr-UVCur06

    納米壓印光刻膠


    旋涂使用
    優質的成膜質量和膠厚均一性
    室溫加工處理
    由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間
    低劑量紫外曝光快速固化
    可獲得優于30 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
    Plasma刻蝕高阻抗性能
    O2 Plasma刻蝕可無殘余去除
    寬帶或i線曝光





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